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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料																	Maximum Drain Source Resistance (MOhm)												厂商																																																			操作温度	包装	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	子类别	最大功率耗散	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用
IRHNJ597034SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	21	45(Max)@12V	1540@25V	75000	50(Max)	65(Max)	75(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5		No Lead										不合规	出口接触方式						活跃													3			Single																							P
IRFC9130NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies			供应商未确认	EAR99	无	无	HEXFET	100	Die	Die	Bulk	14A	10V	-	Obsolete						-		HEXFET®			Obsolete								MOSFET (Metal Oxide)													-		200mOhm @ 14A, 10V	-		100 V	-																-
IRHMS597260	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	-55 to 150	30	103@12V	180(Max)@12V	7170@25V	208000		120(Max)	100(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3		Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔										活跃													3			Single																							P
IRHSNA57Z60SCVD	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	75	3.5@12V	200(Max)@12V	250000	26(Max)	160(Max)	78(Max)		35(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2										供应商未确认	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	-55 to 150						Preliminary													3			Single																							N
AUIRLS4030-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	10.67(Max)	6		Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRLS4030-7TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.13	190 A						Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±16	190	3.9@10V	[email protected]	11490@50V	370000	87		160	110	53	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)		卷带		e3		Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL					190 A	0.0039 Ω		750 A		100 V	N	320 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	370 W
AUIRF7732S2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	7				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	16	14	6.95@10V	22	2500	-55	175		表面贴装	0.49(Max)	3.95(Max)	3.95(Max)	7	Direct-FET SC	No Lead	1	Compliant	24 ns	,		AUIRF7732S2TR1	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.38						卷带				Obsolete			175 °C	-55 °C			41 W					unknown	7			Single		41 W		9.6 ns					123 ns	40 V			58 A	1.8 V		16 V			40 V		1.7 nF		N					6.6 mΩ		1.8 V		570 µm	4.85 mm	3.95 mm	无	无SVHC
AUIRLS3034-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	10.67(Max)	6		Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRLS3034-7TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.65	240 A						Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20	380	1.4@10V	[email protected]	10990@40V	380000	200		590	94	71	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)		卷带		e3		Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263CB		380 A	0.0014 Ω		1540 A		40 V	N	250 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	380 W
AUIRFS3107TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	19	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)		9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3107TRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.12	D2PAK	195 A						符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	75	±20	230	3@10V	160@10V	160		9370@50V	370000	100	110	99		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263AB		195 A	0.003 Ω		900 A		75 V	N	300 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	370 W
2N7002L6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3000@10V	1.5	4.1	500	3.1	3.3	5.5		3	-55	150	0.5	1.2	250	0.96	4	8.5	1.2	2.1	20	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing										Compliant	EAR99	无	无	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	2.5	-55 to 150	0.3	10	0.4@10V	0.4	0.2	0.05	2.4	13@25V	2@25V		卷带				Obsolete													3			Single																							N
AUIRLR2908TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	175 °C	有	AUIRLR2908TRR	Infineon Technologies AG	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.84								Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	80	±16	2.5	39	200	20	28@10V	[email protected]		1890@25V	120000	55	95	36	12	-55	175	汽车	表面贴装	2.39(Max)			卷带				Obsolete						FET 通用电源						compliant	3			Single	增强型MOSFET											N-CHANNEL					30 A						N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	120 W
AUIRLR3105TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES		6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	,	175 °C	有	AUIRLR3105TRR	Infineon Technologies AG	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.83									Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±16	3	25	200	20	37@10V	20(Max)@5V		710@25V	57000	37	57	25	8	-55	175	表面贴装	2.39(Max)	6.22(Max)		卷带				Obsolete						FET 通用电源						compliant	3			Single	增强型MOSFET											N-CHANNEL					25 A						N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	57 W
AUIRFS3607TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)		9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3607TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	80 A	5.13	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	1						符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	75	±20	80	9@10V	56@10V	56		3070@50V	140000	96	110	43	16		卷带		e3		Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263AB		80 A	0.009 Ω		310 A		75 V	N	120 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	140 W
AUIRF7640S2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	6	Si	2	SILICON	3.95(Max)		6	Direct-FET SB	No Lead	1	Compliant	6.3 ns	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2	CHIP CARRIER	1	UNSPECIFIED	40	175 °C	有	AUIRF7640S2TR1	RECTANGULAR	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.37	5.8 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	60	±20	5.8	36@10V	7.3@10V	7.3	450@25V	2400		6.2	12	6.3	4	-55	175	汽车	表面贴装	0.49(Max)	3.95(Max)		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	哑光锡	175 °C	-55 °C		FET 通用电源	2.4 W		BOTTOM	无铅	260	compliant	6	R-XBCC-N2	不合格	单四排液	增强型MOSFET	30 W	DRAIN	4 ns		SWITCHING			12 ns	60 V		N-CHANNEL	5.8 A			20 V	21 A	0.036 Ω	60 V	84 A	450 pF	60 V	N	57 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	30 W		36 mΩ	36 mΩ	4 V		740 µm	4.85 mm	3.95 mm	无	无SVHC
IPC045N25N3X1SA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			Compliant	无	无											Wafer				活跃
AUIRF1018ESTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	35	55	13	-55	175	汽车	表面贴装		4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRF1018ESTRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.7	D2PAK	79 A						符合免除	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±20	4	79	100	20	8.4@10V	46@10V		46	2290@50V	110000	46		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263AB		79 A	0.0084 Ω		315 A		60 V	N	88 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	110 W
AUIRFS3207ZTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	120	6920@50V	300000	68	68	55	20	-55	175		汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3207ZTRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.13	D2PAK	120 A						符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	75	±20	4	170	100	20		4.1@10V	120@10V		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263AB		120 A	0.0041 Ω		670 A		75 V	N	170 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	300 W
BSC100N03LSGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	10@10V	Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	13	[email protected]\|13@10V	13	1100@15V	2500	2.4	2.6	13	3	-55	150	表面贴装	1	5.9	5.15	8	SON		TDSON EP	No Lead											卷带				Obsolete													8			单四漏三源																							N
BSL215PL6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		Compliant	EAR99	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	2	20	±12	1.5	[email protected]	[email protected]	260@15V	500	14		9.7	14.5	6.7	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.6	2.9	6	SOP		TSOP	Gull-wing										卷带				Obsolete													6			Dual																							P
IRHLF73110SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	4.54(Max)	3	TO-205AF												不合规	出口接触方式	100	230000						Preliminary													3																										N								9.22(Max)
AUIRLS3114ZTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES		9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	175 °C	有	AUIRLS3114ZTRR	Infineon Technologies AG	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.71									符合免除	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20	2.5	122	100	20	4.9@10V	[email protected]		3617@25V	143000	60	271	43	28	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)		卷带				Obsolete						FET 通用电源						compliant	3			Single	增强型MOSFET											N-CHANNEL					56 A						N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	143 W
AUIRLR3714TR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si					不合规		EAR99	有	有	功率MOSFET	HEXFET	汽车							卷带				Obsolete																																							N
AUIRLR2905TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	27@10V	2.39(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	2	Tab	TO-252	DPAK	Gull-wing	175 °C	有	AUIRLR2905TRR	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.75								符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±16	2	42	100	25	48(Max)@5V	1700@25V	110000	15	84	26	11	-55	175	汽车	表面贴装			卷带				Obsolete						FET 通用电源						compliant	3			Single	增强型MOSFET											N-CHANNEL					42 A						N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	110 W
AUIRL7766M2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	5	SILICON	Direct-FET M4	CHIP CARRIER, R-XBCC-N5	CHIP CARRIER	1	UNSPECIFIED	40	175 °C	有	AUIRL7766M2TR1	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.38	10 A						Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	100	±16	10	10@10V	[email protected]	5305@25V	2500	49		24	120	16	-55	175	汽车	表面贴装	0.49(Max)	5.05(Max)	5.45(Max)	9			卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	Matte Tin (Sn)			HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	FET 通用电源			BOTTOM	无铅	260	compliant	9	R-XBCC-N5		单四路漏极四路源极	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL					51 A	0.01 Ω		204 A		100 V	N	237 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	62.5 W
AUIRLS3034TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	1.7@10V	97	65	-55	175	汽车	表面贴装		4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRLS3034TRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.65	D2PAK	195 A						符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20	2.5	343	100	20	[email protected]	10315@25V	375000	355	827		卷带		e3	有	Obsolete	EAR99	镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源			SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN			SWITCHING						N-CHANNEL			TO-263AB		195 A	0.0017 Ω		1372 A		40 V	N	255 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	375 W
BSO220N03MSGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	7	22@10V	[email protected]\|8@10V	8	600@15V	1560		3.4	2.8	6.2	5.7	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	4(Max)	5(Max)	8		SOP	DSO	Gull-wing								卷带				Obsolete													8			单四漏三源																							N